Please use this identifier to cite or link to this item:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6002
Title: | Випрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSе2 |
Other Titles: | Rectifiers and Photoelectric Properties of Surface-barrier Structures, Obtained by Heat-treatment of Cu1-xZnxInSе2 Single Crystals |
Authors: | Божко, Володимир Новосад, Олексій Козер, Василь Божко, Неоніла Кулик, Віктор Bozhko, Volodymyr Novosad, Oleksiy Kozer, Vasyl Bozhko, Neonila Kulik, Viktor |
Bibliographic description (Ukraine): | Випрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSe2 / В. Божко, О. Новосад, В. Козер [та ін.] // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 26 (275). – C. 10-15. – Бібліогр.: 15 назв. |
Issue Date: | 2013 |
Date of entry: | 25-Jun-2015 |
Publisher: | Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки |
Keywords: | монокристали поверхнево-бар’єрні структури вольт-амперна характеристика фотовольтаїчний ефект single crystals surface-barrier structures current-voltage characteristics photovoltaic effect |
Abstract: | У роботі отримані поверхнево-бар’єрні структури на основі монокристалів твердого розчину n-Cu1- xZnxInSe2 (х=0−20). Досліджено вольт-амперні характеристики та фотоелектричні властивості структур In2О3/n- Cu1-xZnxInSе2. Обговорено механізми проходження електричного струму через In2О3/n-Cu1-xZnxInSе2 та особливості їх спектрального розподілу фотонапруги.; In this work photosensitive structure on CuInSe2–ZnIn2Se4 solid solution single crystals with n-type of conductivity has been produced and studied. Photosensitive surface-barrier structures were produced by heat-treatment of monocrystalline n-Cu1-xZnxInSe2 (х=0−20) plates in air at temperatures near 550 °C for t≈25 min. Then the crystals were cooled down to room temperature at a rate of 300 K/min. As a result, on the CuInSe2–ZnIn2Se4 plates homogeneously colored layers of purple were formed. After heat treatment the formed layers were removed from all sides except one. Studies of the stationary current-voltage characteristics have shown that surface-barrier structures have rectifying properties. Rectification coefficient was in the range of ~2 to 7. Best rectifying properties are typical for the structures based on CuInSe2–ZnIn2Se4 with 10–15 mol. % ZnIn2Se4. When illuminated using integral light of halogen lamp, photovoltaic effect was observed. The photosensitivity of the best structures reached Su≈4 V/W at T≈300 K. |
URI: | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6002 |
Content type: | Article |
Appears in Collections: | Серія "Фізичні науки", 2013, № 26 (265) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.