Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6002
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБожко, Володимир-
dc.contributor.authorНовосад, Олексій-
dc.contributor.authorКозер, Василь-
dc.contributor.authorБожко, Неоніла-
dc.contributor.authorКулик, Віктор-
dc.contributor.authorBozhko, Volodymyr-
dc.contributor.authorNovosad, Oleksiy-
dc.contributor.authorKozer, Vasyl-
dc.contributor.authorBozhko, Neonila-
dc.contributor.authorKulik, Viktor-
dc.date.accessioned2015-06-25T19:18:33Z-
dc.date.available2015-06-25T19:18:33Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationВипрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSe2 / В. Божко, О. Новосад, В. Козер [та ін.] // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 26 (275). – C. 10-15. – Бібліогр.: 15 назв.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621. 315. 592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6002-
dc.description.abstractУ роботі отримані поверхнево-бар’єрні структури на основі монокристалів твердого розчину n-Cu1- xZnxInSe2 (х=0−20). Досліджено вольт-амперні характеристики та фотоелектричні властивості структур In2О3/n- Cu1-xZnxInSе2. Обговорено механізми проходження електричного струму через In2О3/n-Cu1-xZnxInSе2 та особливості їх спектрального розподілу фотонапруги.; In this work photosensitive structure on CuInSe2–ZnIn2Se4 solid solution single crystals with n-type of conductivity has been produced and studied. Photosensitive surface-barrier structures were produced by heat-treatment of monocrystalline n-Cu1-xZnxInSe2 (х=0−20) plates in air at temperatures near 550 °C for t≈25 min. Then the crystals were cooled down to room temperature at a rate of 300 K/min. As a result, on the CuInSe2–ZnIn2Se4 plates homogeneously colored layers of purple were formed. After heat treatment the formed layers were removed from all sides except one. Studies of the stationary current-voltage characteristics have shown that surface-barrier structures have rectifying properties. Rectification coefficient was in the range of ~2 to 7. Best rectifying properties are typical for the structures based on CuInSe2–ZnIn2Se4 with 10–15 mol. % ZnIn2Se4. When illuminated using integral light of halogen lamp, photovoltaic effect was observed. The photosensitivity of the best structures reached Su≈4 V/W at T≈300 K.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет імені Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectмонокристалиuk_UK
dc.subjectповерхнево-бар’єрні структуриuk_UK
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk_UK
dc.subjectфотовольтаїчний ефектuk_UK
dc.subjectsingle crystalsuk_UK
dc.subjectsurface-barrier structuresuk_UK
dc.subjectcurrent-voltage characteristicsuk_UK
dc.subjectphotovoltaic effectuk_UK
dc.titleВипрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSе2uk_UK
dc.title.alternativeRectifiers and Photoelectric Properties of Surface-barrier Structures, Obtained by Heat-treatment of Cu1-xZnxInSе2 Single Crystalsuk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2013, № 26 (265)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2.pdf1,72 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.