Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6002
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Божко, Володимир | - |
dc.contributor.author | Новосад, Олексій | - |
dc.contributor.author | Козер, Василь | - |
dc.contributor.author | Божко, Неоніла | - |
dc.contributor.author | Кулик, Віктор | - |
dc.contributor.author | Bozhko, Volodymyr | - |
dc.contributor.author | Novosad, Oleksiy | - |
dc.contributor.author | Kozer, Vasyl | - |
dc.contributor.author | Bozhko, Neonila | - |
dc.contributor.author | Kulik, Viktor | - |
dc.date.accessioned | 2015-06-25T19:18:33Z | - |
dc.date.available | 2015-06-25T19:18:33Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Випрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSe2 / В. Божко, О. Новосад, В. Козер [та ін.] // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 26 (275). – C. 10-15. – Бібліогр.: 15 назв. | uk_UK |
dc.identifier.other | УДК 621. 315. 592 | - |
dc.identifier.uri | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6002 | - |
dc.description.abstract | У роботі отримані поверхнево-бар’єрні структури на основі монокристалів твердого розчину n-Cu1- xZnxInSe2 (х=0−20). Досліджено вольт-амперні характеристики та фотоелектричні властивості структур In2О3/n- Cu1-xZnxInSе2. Обговорено механізми проходження електричного струму через In2О3/n-Cu1-xZnxInSе2 та особливості їх спектрального розподілу фотонапруги.; In this work photosensitive structure on CuInSe2–ZnIn2Se4 solid solution single crystals with n-type of conductivity has been produced and studied. Photosensitive surface-barrier structures were produced by heat-treatment of monocrystalline n-Cu1-xZnxInSe2 (х=0−20) plates in air at temperatures near 550 °C for t≈25 min. Then the crystals were cooled down to room temperature at a rate of 300 K/min. As a result, on the CuInSe2–ZnIn2Se4 plates homogeneously colored layers of purple were formed. After heat treatment the formed layers were removed from all sides except one. Studies of the stationary current-voltage characteristics have shown that surface-barrier structures have rectifying properties. Rectification coefficient was in the range of ~2 to 7. Best rectifying properties are typical for the structures based on CuInSe2–ZnIn2Se4 with 10–15 mol. % ZnIn2Se4. When illuminated using integral light of halogen lamp, photovoltaic effect was observed. The photosensitivity of the best structures reached Su≈4 V/W at T≈300 K. | uk_UK |
dc.language.iso | uk | uk_UK |
dc.publisher | Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки | uk_UK |
dc.subject | монокристали | uk_UK |
dc.subject | поверхнево-бар’єрні структури | uk_UK |
dc.subject | вольт-амперна характеристика | uk_UK |
dc.subject | фотовольтаїчний ефект | uk_UK |
dc.subject | single crystals | uk_UK |
dc.subject | surface-barrier structures | uk_UK |
dc.subject | current-voltage characteristics | uk_UK |
dc.subject | photovoltaic effect | uk_UK |
dc.title | Випрямні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур, отриманих термообробкою монокристалів Cu1-xZnxInSе2 | uk_UK |
dc.title.alternative | Rectifiers and Photoelectric Properties of Surface-barrier Structures, Obtained by Heat-treatment of Cu1-xZnxInSе2 Single Crystals | uk_UK |
dc.type | Article | uk_UK |
Розташовується у зібраннях: | Серія "Фізичні науки", 2013, № 26 (265) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
2.pdf | 1,72 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.