Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/24838
Назва: | Теплопровідність та термоелектрична добротність твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4 |
Автори: | Новосад, Олексій Володимирович |
Приналежність: | Волинський національний університет імені Лесі Українки |
Бібліографічний опис: | Новосад, О. (2023). Теплопровідність та термоелектрична добротність твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Фізика та освітні технології, 2, 30–35. doi: https://doi.org/10.32782/pet-2023-2-4 |
Журнал/збірник: | Фізика та освітні технології |
Випуск/№ : | 2 |
Дата публікації: | 24-жов-2023 |
Дата внесення: | 22-жов-2024 |
Видавництво: | Волинський національний університет імені Лесі Українки |
Країна (код): | UA |
Місце видання, проведення: | Луцьк |
Ідентифікатор ORCID: | https://orcid.org/0000-0002-9433-7776 |
DOI: | https://doi.org/10.32782/pet-2023-2-4 |
УДК: | 621.362.1 |
Теми: | напівпровідники тверді розчини коефіцієнт теплопровідності термоелектрична добротність |
Діапазон сторінок: | 30-35 |
Короткий огляд (реферат): | У роботі досліджено залежність коефіцієнта теплопровідності та термоелектричної добротності монокристалів CuIn5S8-CdIn2S4 із вмістом 0, 20, 40, 60, 80 і 100 мол.% CdIn2S4 від їх компонентного складу. Мета роботи полягала в експериментальному визначенні коефіцієнта теплопровідності та розрахунку термоелектричної добротності твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Встановлено, що основний внесок у теплопровідність монокристалів CuIn5S8-CdIn2S4 дає граткова складова. Розраховано термоелектричну добротність твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Проаналізовано залежність цих параметрів від компонентного складу CuIn5S8-CdIn2S4. Для вимірювання коефіцієнта теплопровідності використовували багаторазово перевірене обладнання. Усі дослідження проводили при T≈300 K. Збільшення вмісту CdIn2S4 у твердому розчині CuIn5S8-CdIn2S4 призводить до зростання термоелектричної добротності твердих розчинів. Різке зростання коефіцієнта теплопровідності для монокристалів СuIn5S8-CdIn2S4 з вмістом ≈20-80 мол.% CdIn2S4 може обумовлюватись зростанням дефектності кристалічної решітки монокристалів. Термоелектрична ефективність була найвищою в монокристалах CdIn2S4 та становила ZT≈0,046. Найнижчі значення термоелектричної добротності (ZT≈0,02) характерні для сполук СuIn5S8 та СuIn5S8-CdIn2S4 з ≈40 мол.% CdIn2S4. Показано, що, змінюючи компонентний склад монокристалів CuIn5S8-CdIn2S4, можна змінювати значення коефіцієнта теплопровідності та термоелектричної добротності. Плавна зміна коефіцієнта теплопровідності і термоелектричної добротності в монокристалах СuIn5S8-CdIn2S4 із збільшенням вмісту атомів Cd може знайти практичне застосування в напівпровідниковому приладобудуванні, де використовуються напівпровідникові матеріали СuIn5S8 та CdIn2S4. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/24838 |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Наукові роботи (FTI) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1320.pdf | 440,04 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.