Please use this identifier to cite or link to this item:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/24838
Title: | Теплопровідність та термоелектрична добротність твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4 |
Authors: | Новосад, Олексій Володимирович |
Affiliation: | Волинський національний університет імені Лесі Українки |
Bibliographic description (Ukraine): | Новосад, О. (2023). Теплопровідність та термоелектрична добротність твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Фізика та освітні технології, 2, 30–35. doi: https://doi.org/10.32782/pet-2023-2-4 |
Journal/Collection: | Фізика та освітні технології |
Issue: | 2 |
Issue Date: | 24-Oct-2023 |
Date of entry: | 22-Oct-2024 |
Publisher: | Волинський національний університет імені Лесі Українки |
Country (code): | UA |
Place of the edition/event: | Луцьк |
ORCID Id: | https://orcid.org/0000-0002-9433-7776 |
DOI: | https://doi.org/10.32782/pet-2023-2-4 |
UDC: | 621.362.1 |
Keywords: | напівпровідники тверді розчини коефіцієнт теплопровідності термоелектрична добротність |
Page range: | 30-35 |
Abstract: | У роботі досліджено залежність коефіцієнта теплопровідності та термоелектричної добротності монокристалів CuIn5S8-CdIn2S4 із вмістом 0, 20, 40, 60, 80 і 100 мол.% CdIn2S4 від їх компонентного складу. Мета роботи полягала в експериментальному визначенні коефіцієнта теплопровідності та розрахунку термоелектричної добротності твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Встановлено, що основний внесок у теплопровідність монокристалів CuIn5S8-CdIn2S4 дає граткова складова. Розраховано термоелектричну добротність твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Проаналізовано залежність цих параметрів від компонентного складу CuIn5S8-CdIn2S4. Для вимірювання коефіцієнта теплопровідності використовували багаторазово перевірене обладнання. Усі дослідження проводили при T≈300 K. Збільшення вмісту CdIn2S4 у твердому розчині CuIn5S8-CdIn2S4 призводить до зростання термоелектричної добротності твердих розчинів. Різке зростання коефіцієнта теплопровідності для монокристалів СuIn5S8-CdIn2S4 з вмістом ≈20-80 мол.% CdIn2S4 може обумовлюватись зростанням дефектності кристалічної решітки монокристалів. Термоелектрична ефективність була найвищою в монокристалах CdIn2S4 та становила ZT≈0,046. Найнижчі значення термоелектричної добротності (ZT≈0,02) характерні для сполук СuIn5S8 та СuIn5S8-CdIn2S4 з ≈40 мол.% CdIn2S4. Показано, що, змінюючи компонентний склад монокристалів CuIn5S8-CdIn2S4, можна змінювати значення коефіцієнта теплопровідності та термоелектричної добротності. Плавна зміна коефіцієнта теплопровідності і термоелектричної добротності в монокристалах СuIn5S8-CdIn2S4 із збільшенням вмісту атомів Cd може знайти практичне застосування в напівпровідниковому приладобудуванні, де використовуються напівпровідникові матеріали СuIn5S8 та CdIn2S4. |
URI: | https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/24838 |
Content type: | Article |
Appears in Collections: | Наукові роботи (FTI) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.