Please use this identifier to cite or link to this item:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1268| Title: | Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання |
| Other Titles: | Mathematical model of the kinetics of point defects in semiconductors under the action of optical radiation |
| Authors: | Острей, Сергій Вікторович Ostrei, Serhii V. |
| Bibliographic description (Ukraine): | Острей С. Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання /С.Острей //Матеріали 4 міжнародної конференції «Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали» - РНАОПМ – 2008, С.112-118. |
| Issue Date: | Jun-2008 |
| Date of entry: | 29-May-2013 |
| Publisher: | Волинський національний університет ім. Лесі Українки |
| Keywords: | модель кінетика оптика дефекти відпал лазер енергія model kinetics optics defects annealing laser energy |
| Abstract: | Описуються процеси руйнування та відновлення кристалічних структур під впливом короткотривалих лазерних імпульсів. Розглядаються математичні моделі процесів формування напівпровідника з заданими наперед властивостями. The process of destruction and renewal of crystal structures under the influence of short-term laser pulses are describe. The mathematical model of the formation of the semiconductor properties specified in advance are consider. |
| Description: | Острей Сергій Вікторович – старший викладач кафедри прикладної математики та інформатики Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки |
| URI: | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1268 |
| Content type: | Article |
| Appears in Collections: | Наукові роботи (FITM) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Ostrey_rnaopm_08.pdf | 1,91 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.