1. eVNUIR
  2. Фонди факультетів та підрозділів
  3. Факультет інформаційних технологій та математики
  4. Наукові роботи (FITM)
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1268
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorОстрей, Сергій Вікторович-
dc.contributor.authorOstrei, Serhii V.-
dc.date.accessioned2013-05-29T13:31:27Z-
dc.date.available2013-05-29T13:31:27Z-
dc.date.issued2008-06-
dc.identifier.citationОстрей С. Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання /С.Острей //Матеріали 4 міжнародної конференції «Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали» - РНАОПМ – 2008, С.112-118.uk_UK
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1268-
dc.descriptionОстрей Сергій Вікторович – старший викладач кафедри прикладної математики та інформатики Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.description.abstractОписуються процеси руйнування та відновлення кристалічних структур під впливом короткотривалих лазерних імпульсів. Розглядаються математичні моделі процесів формування напівпровідника з заданими наперед властивостями. The process of destruction and renewal of crystal structures under the influence of short-term laser pulses are describe. The mathematical model of the formation of the semiconductor properties specified in advance are consider.uk_UK
dc.publisherВолинський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectмодельuk_UK
dc.subjectкінетикаuk_UK
dc.subjectоптикаuk_UK
dc.subjectдефектиuk_UK
dc.subjectвідпалuk_UK
dc.subjectлазерuk_UK
dc.subjectенергіяuk_UK
dc.subjectmodeluk_UK
dc.subjectkineticsuk_UK
dc.subjectopticsuk_UK
dc.subjectdefectsuk_UK
dc.subjectannealinguk_UK
dc.subjectlaseruk_UK
dc.subjectenergyuk_UK
dc.titleМатематична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінюванняuk_UK
dc.title.alternativeMathematical model of the kinetics of point defects in semiconductors under the action of optical radiationuk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Наукові роботи (FITM)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Ostrey_rnaopm_08.pdf1,91 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.