Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5283
Назва: Оптичні властивості кристалів Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5)
Інші назви: Optical properties of crystals of Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5)
Автори: Кітик, Іван
Мирончук, Галина
Парасюк, Олег
Данильчук, Сергій
Божко, Володимир
Замуруєва, Оксана
Kituk, Ivan
Myronchuk, Galina
Parasyuk, Oleg
Danylchuk, Sergej
Bojko, Volodimyr
Zamuruyeva, Oksana
Бібліографічний опис: Оптичні властивості кристалів Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0.1; 0.20; 0.3; 0.4; 0.5) / І. Кітик, Г. Мирончук, О. Парасюк [та ін.] // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 2 (251). – С. 3-10. – Бібліогр.: с. 9-10.
Дата публікації: 2013
Дата внесення: 9-чер-2015
Видавництво: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Теми: коефіцієнт поглинання
ширина забороненої зони
шаруваті структури
absorption
band gap
layered structure
Короткий огляд (реферат): У статті досліджено кристалічну систему Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5), а саме вплив часткового катіонного заміщення іонів In іонами Sn на оптичні характеристики сполук. Розглянуто закономірності зміни оптичних спектрів поглинання в кристалах твердих розчинів від температури й складу. Оцінено ширину забороненої зони сполук для різних температур , прямих і непрямих переходів. Визначено з експериментальної залежності lnα(hν) при різних температурах Eg (0) і αₒ . Розраховано концентрацію заряджених дефектів Nt , відповідальних за експериментально встановлене значення ∆ₒ. ; Тhe influence of partial cationic substitution of In ions by Sn ions on the optical characteristics of the solid solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5) has been studied. A comparative analysis of temperature behavior of optical absorption edge over the temperature range from 77 to 300 K is performed for alloys with (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5). The band gap of compounds at different temperatures, for direct and indirect transitions have been estimated. From the experimental dependences lnα (hν) at different temperatures the constants Eg(0) and αₒ in the Urbach rule have been determined. The concentration of charged defects responsible for the experimentally determined value of characteristic energy has been calculated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5283
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2013, № 2 (251)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1.pdf2,67 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.