Оптичні властивості кристалів Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5)

Abstract

У статті досліджено кристалічну систему Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5), а саме вплив часткового катіонного заміщення іонів In іонами Sn на оптичні характеристики сполук. Розглянуто закономірності зміни оптичних спектрів поглинання в кристалах твердих розчинів від температури й складу. Оцінено ширину забороненої зони сполук для різних температур , прямих і непрямих переходів. Визначено з експериментальної залежності lnα(hν) при різних температурах Eg (0) і αₒ . Розраховано концентрацію заряджених дефектів Nt , відповідальних за експериментально встановлене значення ∆ₒ. ; Тhe influence of partial cationic substitution of In ions by Sn ions on the optical characteristics of the solid solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5) has been studied. A comparative analysis of temperature behavior of optical absorption edge over the temperature range from 77 to 300 K is performed for alloys with (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5). The band gap of compounds at different temperatures, for direct and indirect transitions have been estimated. From the experimental dependences lnα (hν) at different temperatures the constants Eg(0) and αₒ in the Urbach rule have been determined. The concentration of charged defects responsible for the experimentally determined value of characteristic energy has been calculated.