Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5263
Title: Особливості електричних і оптичних властивостей монокристалічних тетрарних сполук Ag2CdSnS4
Other Titles: Peculiarities of Electric and Optical Properties of Qaternary Single Crystalline Compounds Ag2CdSnS4
Authors: Мирончук, Г. Л.
Якимчук, О. В.
Данильчук, С. П.
Парасюк, О. В.
Шаварова, Г. П.
Давидюк, Г. Є.
Myronchuk, G. L.
Yakymchuk, O. V.
Danyl’chuk, S. P.
Parasyuk, O. V.
Shavarova, A. P.
Davydyuk, G. E.
Bibliographic description (Ukraine): Особливості електричних і оптичних властивостей монокристалічних тетрарних сполук Ag2CdSnS4 / Г. Л. Мирончук, О. В. Якимчук, С. П. Данильчук [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2011. – № 16 : Фізичні науки. – С. 15-23. – Бібліогр.: с. 22-23.
Issue Date: 2011
Date of entry: 6-Jun-2015
Publisher: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Keywords: тетрарні сполуки
технологічні дефекти
невпорядковані системи
електричні і оптичні властивості
quaternary compounds
technological defects
disordered system
electric and optical properties
Abstract: Вивчались, одержані в лабораторіях університету об’ємні (60 10 10) мм2 монокристалічні тетрарні сполуки Ag2CdSnS4. Внаслідок високої концентрації технологічних дефектів N 2 1018см 3 вони проявляють риси невпорядкованих систем. На основі дослідження температурних залежностей електропровідності, спектрів поглинання світла, фотопровідності, оптичного гашення фотопровідності встановлено енергетичні положення технологічних дефектів у забороненій зоні, які відповідальні за електрично і оптично активні центри в Ag2CdSnS4, визначено ширину забороненої зони сполуки ( Eg 1,92еВ при T 300K ). Запропоновано несуперечливу фізичну модель спостережуваних процесів у монокристалах тетрарного халькогеніду Ag2CdSnS4.; Single crystals of quaternary compounds Ag2CdSnS4, obtained in the laboratories of the University, have been studied. Due to high concentration of technological defects (N≈2·1018cm-3) they exhibit the features of disordered systems. The energy position in the forbidden band of technological defects responsible for electric and optical properties of Ag2CdSnS4, the energy gap of the compounds (Eg ≈1,92 eV at Т≈300К) have been determined from the temperature dependence of electric conductivity, absorption spectra of photoconductivity and optical quenching of photoconductivity. Non- contradictory physical model of processes observed in single crystals of quaternary chalcogenides Ag2CdSnS4 has been suggested.
URI: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5263
Content type: Article
Appears in Collections:Серія "Фізичні науки", 2011, № 16

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Myronchu.pdf454,15 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.