Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня EC 0,2 еВ у монокристалах n-Ge<Au>

Abstract

Досліджено вплив одновісної пружної деформації на величину зміни положення глибокого енергетичного рівня золота EC 0,2 еВ в n-Ge за даними п’єзоопору у широкій області механічних напруг X = 0 1,2 ГПа для XJ| | ||[011] та X || J || [100]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення глибоких рівнів і оцінено ступінь їх заповнення при одновісній деформації. Обчислено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC 0,2 еВ і долинами зони провідності n-Ge<Au> при деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [100]. Визначено середнє значення коефіцієнта (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур.; The influence of uniaxial elastic deformation on the change of the location of deep energy level of gold EC 0,2 eV in n-Ge according to piezoresistance in wide area of mechanical stress X =0-1,2 GPa is investigated under a condition X || J || [110] and XJ| | ||[001]. The method of calculation of shift rate is represented and the state of filling of the energy levels ( ) to an uniaxial deformation is estimated. A change of the energy gap between the deep energy level EC 0,2 eV and the conduction band valleys in n-Ge<Au> arising due to deformation along the crystallographic directions [110] and [0 01] is calculated. The value average of an at different temperatures was determined.