Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5259
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorФедосов, С. А.-
dc.contributor.authorЛуньов, C. В.-
dc.contributor.authorЗахарчук, Д. А.-
dc.contributor.authorПанасюк, Л. І.-
dc.contributor.authorКоваль, Ю. В.-
dc.contributor.authorFedosov, S. A.-
dc.contributor.authorLuniov, S. V.-
dc.contributor.authorZakharchuk, D. A.-
dc.contributor.authorPanasyuk, L. I.-
dc.contributor.authorKoval, Yu. V.-
dc.date.accessioned2015-06-05T21:28:42Z-
dc.date.available2015-06-05T21:28:42Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationВплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня Ес - 0,2 еВ у монокристалах n-Ge<Au> / С. А. Федосов, С. В. Луньов, Д. А. Захарчук [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2011. – № 16 : Фізичні науки. – С. 39-45. – Бібліогр.: 13 назв.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5259-
dc.description.abstractДосліджено вплив одновісної пружної деформації на величину зміни положення глибокого енергетичного рівня золота EC 0,2 еВ в n-Ge за даними п’єзоопору у широкій області механічних напруг X = 0 1,2 ГПа для XJ| | ||[011] та X || J || [100]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення глибоких рівнів і оцінено ступінь їх заповнення при одновісній деформації. Обчислено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC 0,2 еВ і долинами зони провідності n-Ge<Au> при деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [100]. Визначено середнє значення коефіцієнта (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур.; The influence of uniaxial elastic deformation on the change of the location of deep energy level of gold EC 0,2 eV in n-Ge according to piezoresistance in wide area of mechanical stress X =0-1,2 GPa is investigated under a condition X || J || [110] and XJ| | ||[001]. The method of calculation of shift rate is represented and the state of filling of the energy levels ( ) to an uniaxial deformation is estimated. A change of the energy gap between the deep energy level EC 0,2 eV and the conduction band valleys in n-Ge<Au> arising due to deformation along the crystallographic directions [110] and [0 01] is calculated. The value average of an at different temperatures was determined.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectодновісна пружна деформаціяuk_UK
dc.subjectкристалографічний напрямокuk_UK
dc.subjectп’єзоопірuk_UK
dc.subjectенергетична щілинаuk_UK
dc.subjectглибокий рівеньuk_UK
dc.subjectcrystallographic directionuk_UK
dc.subjectpiezoresistanceuk_UK
dc.subjectenergy gapuk_UK
dc.subjectdeep leveluk_UK
dc.subjectuniaxial elastic deformationuk_UK
dc.titleВплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня EC 0,2 еВ у монокристалах n-Ge<Au>uk_UK
dc.title.alternativeInfluence of Uniaxial Elastic Deformation on the Location of Deep Energy Levels EC 0,2 eV in n-Ge<Au> Single Crystalsuk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2011, № 16

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Fedosov.pdf382,84 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.