Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/24842
Title: Термоелектрична добротність монокристалів (AgSb)1-хPbхSe2.
Authors: Новосад, Олексій Володимирович
Пішова, Поліна Володимирівна
Божко, Володимир Васильович
Шпак, Вікторія Іванівна
Affiliation: Волинський національний університет імені Лесі Українки
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
Волинський національний університет імені Лесі Українки
Волинський національний університет імені Лесі Українки
Bibliographic description (Ukraine): Новосад, О., Пішова, П., Божко, В., Шпак,В. (2021) Термоелектрична добротність монокристалів (AgSb)1-хPbхSe2. Фізика та освітні технології, 1, 39–45. https://doi.org/10.32782/pet-2021-1-7
Journal/Collection: Фізика та освітні технології
Issue: 1
Issue Date: 2-Nov-2021
Date of entry: 22-Oct-2024
Publisher: Волинський національний університет імені Лесі Українки
Country (code): UA
Place of the edition/event: Луцьк
ORCID Id: http://orcid.org/0000-0002-9433-7776
DOI: https://doi.org/10.32782/pet-2021-1-7
UDC: 621.362.1
Keywords: монокристали
термоелектрика
коефіцієнт теплопровідності
термоелектрична добротність
Page range: 39-45
Abstract: У роботі досліджено залежність коефіцієнта теплопровідності та термоелектричної добротності моно-кристалів (AgSb)1-хPbхSe2 від їх компонентного складу. Показано, що основний внесок у теплопровідність сполук (AgSb)1-хPbхSe2 при х=0-0,4 робить фононна складова теплопровідності. У монокристалах зі значенням х=0,92-1 величина електронної складової теплопровідності стає близькою до фононної. Збільшення вмісту Pb у (AgSb)1-хPbхSe2 у межах від х=0 до х=0,4 призводить до зменшення коефіцієнта теплопровідності (AgSb)1-хPbхSe2 від 0,56В т/К·м до 0,27Вт/К·м, та збільшення х від 0,92 до 1 призводить до зростання коефіцієнта теплопровідності у межах від 0,45 Вт/К·м до 1,11 Вт/К·м. Найвищими значеннями термоелектричної добротності володіють моно-кристали (AgSb)1-хPbхSe2 при x=0, 0,1, 0,2 0,92, 1 (ZT≈0,014-0,46). Маючи високе значення термоелектричної добро-тності, монокристали даного компонентного складу є перспективними матеріалами для термоелектрогенерації. Плавна зміна термоелектричних властивостей (AgSb)1-хPbхSe2 із зміною вмісту атомів Pb може знайти практичне використання у напівпровідниковому приладобудуванні, де використовуються матеріали AgSbSe2 та PbSe.
URI: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/24842
Content type: Article
Appears in Collections:Наукові роботи (FTI)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
143.pdf393,15 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.