1. eVNUIR
  2. Наукові видання Волинського національного університету ім. Лесі Українки
  3. Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки
  4. Серія "Фізичні науки"
  5. 2015
  6. Серія "Фізичні науки", 2015, № 10 (311)
Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9657
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМирончук, Галина-
dc.contributor.authorПарасюк, Олег-
dc.contributor.authorКримусь, Андрій-
dc.contributor.authorMyronchuk, Galyna-
dc.contributor.authorParasyuk, Oleh-
dc.contributor.authorKrymus, Andrii-
dc.date.accessioned2016-06-16T20:16:19Z-
dc.date.available2016-06-16T20:16:19Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationФотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4 / Г. Мирончук, О. Парасюк, А. Кримусь // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: С. А. Федосов та ін.]. – Луцьк, 2015. – № 10 (311). – С. 38-41.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9657-
dc.description.abstractУ роботі досліджено кінетику релаксації фотопровідностів в монокристалі AgGaGeS4 Установлено, що час релаксації фотопровідності в кристалах AgGaGeS4 залежить від інтенсивності освітлення та температури. Оцінено глибину залягання пастки. ; Kinetics of photoconductivity relaxation in AgGaGeS4 crystal has been investigated in this work. It has been established that photoconductivity relaxation time in AgGaGeS4 crystals depends on light intensity and the temperature. The depth of trap has been estimated from the experimental data.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectрелаксація фотопровідностіuk_UK
dc.subjectпасткаuk_UK
dc.subjectчас релаксаціїuk_UK
dc.subjectphotoconductivity relaxationuk_UK
dc.subjecttrapuk_UK
dc.subjectrelaxation timeuk_UK
dc.titleФотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4uk_UK
dc.title.alternativePhotoelectric Properties of AgGaGeS4 Crystaluk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Appears in Collections:Серія "Фізичні науки", 2015, № 10 (311)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
8.pdf362,79 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.