Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9650
Назва: Температурна залежність питомої електропровідності монокристалів Tl1-xIn1-xGexSe2 (x = 0,1; 0,2) уздовж і перпендикулярно до шарів
Інші назви: The Тemperature Dependence of the Electrical Conductivity of Single Crystals Tl1-xIn1-xGaxSe2 (x = 0,1; 0,2) Along and Perpendicular to the Layers
Автори: Кітик, Іван
Мирончук, Галина
Замуруєва, Оксана
Парасюк, Олег
Шаварова, Ганна
Kityk, Ivan
Mironchuk, Galyna
Zamurueva, Oksana
Parasyuk, Oleg
Shavarova, Anna
Бібліографічний опис: Температурна залежність питомої електропровідності монокристалів Tl1-xIn1-xGexSe2 (x = 0,1; 0,2) уздовж і перпендикулярно до шарів / І. Кітик, Г. Мирончук, О. Замуруєва, О. Парасюк, Г. Шаварова// Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: С. А. Федосов та ін.]. – Луцьк, 2015. – № 10 (311). – С. 11-15.
Дата публікації: 2015
Дата внесення: 16-чер-2016
Видавництво: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Теми: енергія активації
стрибкова провідність
густина локалізованих станів.
activation energy
hopping conductivity
density of localized states
Короткий огляд (реферат): Проаналізовано температурні залежності питомої електропровідності в монокристалах Tl1-xIn1-xGexSe2 уздовж та перпендикулярно до шарів. Показано, що в температурному інтервалі 100–300 K спостерігається провідність термозбуджених домішкових носіїв заряду по дозволеній зоні й стрибкова провідність за локалізованими станами. ; We analyzed the temperature dependence of conductivity in monocrystals Tl1-xIn1-xGexSe2 along and perpendicular to the layers. It is shown that in the temperature range 100 – 300 K the conductivity of thermal activated impurity carriers over the allowed band and hopping conductivity over localized states takes place. The activation energy of impurity conductivity is determined. The density of localized states near the Fermi level, the energy spread of these states and the average length of carrier hops at different temperatures is estimated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9650
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2015, № 10 (311)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3.pdf224,75 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.