Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6179
Назва: Фізико-хімічна взаємодія в системі AgInS2 − “P2S4” та вирощування монокристалів AgInP2S6
Інші назви: Physical-Chemical Interaction in the System AgInS2 − “P2S4” and Growing Crystals AgInP2S6
Автори: Поторій, М. В.
Мотря, С. Ф.
Пріц, І. П.
Милян, П. М.
Potoriy, M. V.
Motrya, S. F.
Prits, I. P.
Milyan, P. M.
Бібліографічний опис: Фізико-хімічна взаємодія в системі AgInS2 − “P2S4” та вирощування монокристалів AgInP2S6 / / М. В. ПОторій [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: І. Д. Олексеюк та ін.]. – Луцьк, 2009. – № 24 : Хімічні науки. – С. 20-22. – Бібліогр.: 3 назви.
Дата публікації: 2009
Дата внесення: 2-лип-2015
Видавництво: Волинський національний університет імені Лесі Українки
Теми: фазова діаграма
phase diagram
рентгенофазовий аналіз
X-ray phase analysis
диференційно-термічний аналіз
differential thermal analysis
ріст кристалів
crystal growth
Короткий огляд (реферат): Методами рентгенівського фазового та диференціального термічного аналізів досліджено фізико-хімічну взаємодію в системі AgInS2 – “P2S4” і побудовано відповідну діаграму стану. Досліджувана системa характе- ризується утворенням тетрарної сполуки AgInP2S6, що конгруентно плавиться при 1053 ± 5 К. З тернарною сполукою AgInS2 вона утворює евтектику при ~28 мол. % “P2S4”. Температура евтектичної горизонталі − 855 ± 5 К. Сполука AgInP2S6 кристалізується в тригональній сингонії (просторова група Р31с) з параметрами елементар- ної комірки: а = 6,472; с = 13,33 Å. Z = 2. Методом направленої кристалізації розплаву вирощено монокристали AgInP2S6. The physical-chemical interaction in AgInS2 – “P2S4” system have been established using X-ray diffraction and differential thermal analysis. The proper phase diagram was built. The investigated system characterized by forming of the tetrary compound AgInP2S6 , which melts congruently at 1053 K. With ternary compound AgInS2 it forms eutectic at ~28 мол. % “P2S4”. The temperature of eutectic line − 855 ± 5 К. AgInP2S6 crystallizes in trygonal space group (Р31с) with cell parameters: а = 6,472; с = 13,33 Å, Z = 2. Single crystal of AgInP2S6 were grown by Bridgman method.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6179
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Серія "Хімічні науки", 2009, № 24

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Potoriy.pdf222,97 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.