Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6000
Назва: | Довготривала релаксація фотопровідності у твердих розчинах Cu1-xZnxInS2 |
Інші назви: | Long-term Relaxation of Photoconductivity in Cu1-xZnxInS2 solid solutions |
Автори: | Кажукаускас, Вайдотас Новосад, Олексій Вайнорюс, Неймантас Божко, Володимир Сакавічюс, Андрюс Козер, Василь Яноніс, Вітаутас Божко, Неоніла Kazukauskas, Vaidotas Novosad, Oleksiy Vainorius, Neimantas Bozhko, Volodymyr Sakavicius, Andrius Kozer, Vasyl Janonis, Vytautas Bozhko, Neonila |
Бібліографічний опис: | Довготривала релаксація фотопровідності у твердих розчинах Cu1-xZnxInS2 / В. Кажукаускас, О. Новосад, Н. Вайнорюс [та ін.] // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 26 (275). – С. 3-9. – Бібліогр.: с. 8-9. |
Дата публікації: | 2013 |
Дата внесення: | 25-чер-2015 |
Видавництво: | Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки |
Теми: | тверді розчини фотопровідність релаксація центри рекомбінації solid solutions photoconductivity relaxation recombination centers |
Короткий огляд (реферат): | На основі уявлень про рівні прилипання проаналізовано результати досліджень релаксації фотопро- відності твердих розчинів n-Cu1-xZnxInS2 в інтервалі температур 30–100 К. Показано, що в Cu1-xZnxInS2 має місце довготривала релаксація фотопровідності (101–103 с), яка контролюється s та r-центрами рекомбінації. Визначена глибина залягання рівнів прилипання становила ~0,1–0,2 еВ.; Photoconductivity kinetics in CuInS2–ZnIn2S4 solid solutions has been studied. An effect of long-term relaxation processes (~101–103 s) at T≈27–100 К was revealed. Data on photoconductivity relaxation are analyzed in terms of attachment levels. Here the nonequilibrium conductivity relaxation kinetic of CuInS2–ZnIn2S4 solid solution corresponds to the case of the exponential recombination. The main parameters characterizing the photoconductivity kinetic were determined. It is shown that as the temperature increases, the relaxation time of the slow component and fast component decreases. The contribution of the slow component also decreases whereas fast component increases. It is shown that relaxation of photoconductivity is controlled by multicenter recombination in which both «fast» and «slow» recombination centers participate. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6000 |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Серія "Фізичні науки", 2013, № 26 (265) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1.pdf | 2,26 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.