Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5393
Назва: Анізотропія часів релаксації для ∆ 1 -мінімуму зони провідності кристалів n-Ge
Інші назви: Anisotropy of relaxation time for ∆1 –minimum of conduction band in n-Ge
Автори: Бурбан, О. В.
Burban, O. V.
Бібліографічний опис: Бурбан, О. В. Анізотропі часів релаксації для #1-мінімуму зони провідності кристалів n-Ge / О. В. Бурбан // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; редкол.: Г. Є. Давидюк [та ін.]. – Луцьк, 2012. – № 16(241) : Фізичні науки. – С. 25-28. – Бібліогр.: 5 назв.
Дата публікації: 2012
Дата внесення: 11-чер-2015
Видавництво: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Теми: параметр анізотропії
час релаксації
anisotropy parameter
relaxation time
Короткий огляд (реферат): Обчислено параметр анізотропії часів релаксації для L 1 та ∆ 1-мінімумів зони провідності кристалів n-Ge із різною концентрацією домішки. Показано, що при одновісному деформуванні кристалів n-Ge (Х>2,4 ГПа) уздов ж кристалографічного напряму, унаслідок інверсії типу абсолютного мінімуму, зазнає і кількісних, і якісних змін параметр анізотропії часів релаксації. ; The anisotropy parameter of relaxation time for L 1 and ∆ 1-minimums of the conduction band in n-Ge with different impurity concentrations was calculated. Theory shows that quantitatively and qualitatively changes the anisotropy parameter of relaxation times as a result of the absolute minimum type inversion of the conduction band, about uniaxial stress (X>2,4 GPa) along the crystallographic direction.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5393
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2012, № 16

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
6.pdf421,39 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.