Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5285
Назва: Оптичні, електричні та фотоелектричні властивості кристалів Ag2In2Si(Ge)Se6
Інші назви: Optical, Electrical and Photovoltaic Properties of Crystals Ag2In2Si(Ge)Se6
Автори: Замуруєва, Оксана
Мирончук, Галина
Парасюк, Олег
Zamuruyeva, Oksana
Myronchuk, Galina
Parasyuk, Oleg
Бібліографічний опис: Замуруєва, О. Оптичні, електричні та фотоелектричні властивості кристалів Ag2In2Si(Ge)Se6 / О. Замуруєва, Г. Мирончук, О. Парасюк // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 2 (251). – С. 18-23. – Бібліогр.: 11 назв.
Дата публікації: 2013
Дата внесення: 9-чер-2015
Видавництво: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Теми: напівпровідники
оптичне поглинання
дефекти
ширина забороненої зони
semiconductors
optical absorption
defects
gap width
Короткий огляд (реферат): У роботі досліджено оптичні, електричні та фотоелектричні властивості маловивчених халькогенідних напівпровідників Ag2In2Si(Ge)Se6. Показано, що досліджувані матеріали проявляють властивості невпорядко- ваних систем, обумовлених технологічними дефектами й структурними особливостями сполуки. Вивчено спектри оптичного поглинання напівпровідників Ag2In2Si(Ge)Se6, розраховано коефіцієнт поглинання α, оцінено ширину забороненої зони. Інтерпретацію експерементальних результатів здійснено в межах моделі Мотта для невпорядкованих систем. ; The optical, electrical and photovoltaic properties of chalcogenide semiconductors Ag2In2Si(Ge)Se6 have been investigated in the present work. It is shown that Ag2In2Si(Ge)Se6 crystals exhibit the properties of disordered systems due to technological defects and structural features of the compound. Optical absorption spectra of Ag2In2Si(Ge) Se6 crystals have been examined, absorption coefficient calculated and energy gap estimated. Interpretation of experimental results is conducted basing on the Mott model for disordered systems.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5285
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2013, № 2 (251)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3.pdf1,93 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.