Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5257
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorДавидюк, Г. Є.-
dc.contributor.authorМирончук, Г. Л.-
dc.contributor.authorПарасюк, О. В.-
dc.contributor.authorШевчук, М. В.-
dc.contributor.authorЯкимчук, О. В.-
dc.contributor.authorДанильчук, С. П.-
dc.contributor.authorMyronchuk, G. L.-
dc.contributor.authorDavudyuk, G. E.-
dc.contributor.authorParasyuk, O. V.-
dc.contributor.authorShevchuk, N. V.-
dc.contributor.authorYakumchuk, O. V.-
dc.contributor.authorDanylchuk, S. P.-
dc.date.accessioned2015-06-05T20:42:57Z-
dc.date.available2015-06-05T20:42:57Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationСтруктурні параметри і деякі фізичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2011. – № 16 : Фізичні науки. – С. 2-8. – Бібліогр.: 9 назв.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5257-
dc.description.abstractДосліджено монокристали твердих розчинів 50 %мол. AgGaGeS4 + 50мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної гратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів, не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну й термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Еg 2,30еВ при Т ≈ 300К). Монокристали розчину AgGaGe2S2Se4 виявилися фоточутливими напівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідності та спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дає змогу пояснити експериментально одержані результати. Single crystals of the solid solution of 50 mol.% AgGaGeS4 + 50 mol.% AgGaGe3Se8 were investigated. Due to the statistical distribution of Ga and Ge atoms in their sites and the existence of the vacancies in Ag sites, the solid solution exhibits the properties of disordered semiconductors with the maximum density of localized energy states near the middle of the band gap. Optical and thermal bandgap energy and their temperature dependence were determined (Еg=2.30 еV at 300 К). AgGaGe2S2Se4 single crystals were photosensitive р-type semiconductors with the Fermi level near the middle of the band gap. Peculiarities of the conductivity and the spectral distribution of the photoconductivity of the samples were investigated. A non-contradictory physical model is suggested which explains the experimental results.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectхалькогенідиuk_UK
dc.subjectневпорядковані системиuk_UK
dc.subjectелектричні і оптичні властивостіuk_UK
dc.subjectsolid chalcogenide solutionsuk_UK
dc.subjectdefectsuk_UK
dc.subjectdisordered semiconductorsuk_UK
dc.subjectelectric and optical propertiesuk_UK
dc.titleСтруктурні параметри і деякі фізичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4uk_UK
dc.title.alternativeThe Electrical and Optical Properties of the Single Crystal AgGaGe2S2Se4uk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2011, № 16

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Davudyuk.pdf404,12 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.