Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5247
Назва: Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивості монокристалів тетрарної сполуки AgGaGe 3 Se 8
Інші назви: The Influence of Doping with Groups I, III, IV Elements on Some Physical Properties of Quaternary Compound AgGaGe3 Se 8 Single Crystals
Автори: Кітик, І. В.
Мирончук, Г.Л.
Давидюк, Г. Є.
Якимчук, О. В.
Парасюк, О. В.
Хмель, М.
Kityk, I. V.
Myronchuk, G. L.
Davidyuk, G. Ye.
Yakimchuk, O. V.
Parasyuk, O. V.
Chmiel, M.
Бібліографічний опис: Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і ІV груп на деякі фізичні властивості монокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8 / І. В. Кітик, Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2012. – № 3(228) : Фізичні науки. – С. 8-18. – Бібліогр.: 7 назв.
Дата публікації: 2012
Дата внесення: 5-чер-2015
Видавництво: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Теми: леговані тетрарні сполуки
дефекти
quaternary doped compounds
defects
Короткий огляд (реферат): Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3 Se 8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука − високоомний (~10 -7 −10 -10 Ом -1 см -1 , при Т ≈ 300К) широкозонний напівпровідник (Eg ≈ 2,4 еВ) р-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe 3 Se 8 з 5 10% концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (hν < 1,8 еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів. ; The electric, optical and photoelectric properties of quaternary phase AgGaGe3 Se 8 single crystals, doped with Cu, In, Si, Sn atoms have been investigated. It has been shown, that the compound is a high resistant (~ 10 -7 −10 -10 Om -1 cm -1 at T ≈ 300 K) wide-band semiconductor (E g ≈ 2,4 eV) that has p-type conductivity and its electric, optical and photoelectric parameters depend on the nature and concentration of the dopant. It is shown that doping of AgGaGe 3 Se 8 with impurity concentration 5−10% leads to the enlightenment of the crystal in the © Кітик І. В., Мирончук Г. Л., Давидюк Г. Є., Якимчук О. В., Парасюк О. В., Хмель М., 2012 РОЗДІЛ I. Фізика твердого тіла. 3, 2012 9 transparency window (h ν < 1,8 eV). On the base of the proposed physical model with provision for the features of disordered systems the interpretation of experimental results has been carried out.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5247
Тип вмісту: Article
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2012, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Kityk.pdf733,43 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.