Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1588
Назва: | Дослідження систем Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) при 870 K |
Інші назви: | Investigation of the Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) Systems at 870 K. |
Автори: | Личманюк, Ольга Сергіївна Гулай, Любомир Дмитрович Олексеюк, Іван Дмитрович Lychmanyuk, O. S. Hulai, Liubomyr D. Olekseiuk, Ivan D. |
Бібліографічний опис: | Личманюк, О. С. Дослідження системи Pr2X3-Cu2X-ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) при 870 К / О. С. Личманюк, Л. Д. Гулай, І. Д. Олексеюк // Науковий вісник / Волин. держ. ун-т ім. Лесі Українки ; відп. ред. І. Д. Олексеюк. - Луцьк, 2007. - № 15. - С. 10-13. - Бібліогр.: 15 назв. |
Дата публікації: | 2007 |
Дата внесення: | 10-лип-2013 |
Видавництво: | Волинський державний університет імені Лесі Українки |
Теми: | халькогеніди сполуки РЗМ, сполуки Cu, сполуки Si сполуки Ge сполуки S, сполуки Se ізотермічний перетин рентгенівський метод порошку chalcogenides rare earth compounds Cu compounds Si compounds Ge compounds S compounds Se compounds isothermal section X-ray powder diffraction |
Короткий огляд (реферат): | Ізотермічні перетини систем Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) при 870 K побудовано за результатами рентгенофазового аналізу. Підтверджено існування тернарних сполук на обмежуючих сторонах та тетрарних сполук R3CuZX7. The isothermal sections of the Pr2X3–Cu2X–ZX2 (Z=Si, Ge; X=S, Se) systems at 870 K were investigated using X-ray powder diffraction. The existence of ternary compounds on the bound sides was confirmed. The existence of quaternary R3CuZX7 compounds was confirmed in the investigated systems. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1588 |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Наукові роботи (FChem) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Gulay7_1.pdf | 131,73 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.