Електричні і оптичні властивості монокристалів CdS, AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DІV – S, Se) з дефектами структури

Abstract

Дисертація присвячена дослідженню впливу дефектів технологічного походження на електричні та оптичні властивості монокристалічних сполук AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se), а також дослідженню впливу структурних пошкоджень радіаційного характеру на параметри спеціально нелегованих і легованих Cu монокристалів сульфіду кадмію. Монокристалічні сполуки AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) внаслідок дефектності кристалічної ґратки проявляють властивості характерні для невпорядкованих напівпровідників. В роботі запропоновано фізичну модель електронних станів у тетрарних халькогенідних напівпровідниках A2IBIICІVD4VI. This dissertation is devoted to the research of the influence of the defects, technological in origin, upon the electrical and optical properties of single-crystals compounds AgCd2GaS4 and A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) and also to the research of the influence of the structural demages of the radiation character upon the parameters of specially non-alloyed and alloyed Cu single-crystals of cadmium sulphides. Single-crystal compounds AgCd2GaS4 and A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) in the result of defectiveness of crystal grating display the properties typical for not regulated semiconductors. The physical pattern of electronic states in quaternary сhalcogenide semiconductor compounds A2IBIICІVD4VI is propound in the paper.